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Die GAP9010 Sandwichphotodiode besteht aus zwei mit geringem Abstand übereinander liegenden Photodiodenchips, wobei der obere eine InGaAs-Photodiode (800nm – 1700nm) ist und der untere eine Extended- InGaAs-Photodiode (1550nm – 2300nm). IR-Wellenlängen ab dem Peak (1550nm) der oberen InGaAs-Photodiode passieren diese und werden von der Extended-InGaAs-Photodiode empfangen.