Unsere Indium-Gallium-Arsenide(InGaAs)-Photodioden erfüllen die anspruchsvollsten Anforderungen in MIL- und Industrie- Anwendungen. InGaAs-Photodioden sind im Bereich 800nm bis 1700nm empfindlich. InGaAs-Photodioden bieten eine Alternative zu Ge-Photodioden (800nm – 1800nm). Die Vorzüge von InGaAs-Photodioden liegen in ihrer Rauscharmut und den erreichbaren Bandbreiten. Wir bieten InGaAs-Photodioden an auf Keramik-Trägern, in TO-Gehäusen mit und ohne TE-Kühler oder im LN2-Dewar.

Hauptmerkmale

  • Hohe Empfindlichkeit
  • Hohe Shuntwiderstände
  • Geringes Rauschen
  • Geringe Kapazitäten
  • Hohe Zuverlässigkeit

Typische Anwendungen                                                                                                

  • IR Sensorik
  • Spektroskopie
  • Optische Kommunikation
  • Kurzstrecken DataCom- / TeleCom-Empfänger
  • Mess- & Regeltechnik
  • Prozessmesstechnik
  • Temperaturmesstechnik
InGaAs Photodioden 800-1700nm