Large Area Photodiode InGaAs
Wellenlängen-Bereich 800nm – 1700nm
Gehäuse TO46 / Ceramic Submounts / PT

Ge+InGaAs Large Area

Eigenschaften

  • Hochempfindlich
  • Hoher Shunt-Widerstand
  • Niedrige Kapazität
  • Hohe Geschwindigkeit
  • Ebenes Design für gute Zuverlässigkeit

Anwendungen

  • Infrarotsensoren
  • Telekommunikation
  • Optische Kommunikation
  • Kurzstrecken-Telecom / Datacom Empfänger
InGaAs Large Area Photodioden