Unsere Indium-Gallium-Arsenide(InGaAs)-VIS-IR Photodioden erfüllen die anspruchsvollsten Anforderungen in MIL- und Industrie- Anwendungen. InGaAs-VIS-IR-Photodioden sind im Bereich 500nm bis 1700nm empfindlich. InGaAs-VIS-IR Photodioden bieten eine Alternative zu Ge-Photodioden (800nm – 1800nm). Die Vorzüge von InGaAs-VIS-IR Photodioden liegen in ihrer Rauscharmut und den erreichbaren Bandbreiten. Wir bieten InGaAs-VIS-IR Photodioden an auf Keramik-Trägern, in TO-Gehäusen mit und ohne TE-Kühler oder im LN2-Dewar.
Hauptmerkmale
- Hohe Empfindlichkeit bis in den sichtbaren Bereich
- Hohe Shuntwiderstände
- Geringes Rauschen
- Geringe Kapazitäten
- Hohe Zuverlässigkeit
Typische Anwendungen
- IR Sensorik
- Spektroskopie
- Optische Kommunikation
- Kurzstrecken DataCom- / TeleCom-Empfänger
- Mess- & Regeltechnik
- Prozessmesstechnik
- Temperaturmesstechnik