| Segmentierte Photodioden |
| Silizium Photodioden mit Inversionsschicht |
Die von OEC angebotene und prämierte X-UV Detektor-Serie ist eine einzigartige Klasse von Silizium-Photodioden, die für eine zusätzliche Empfindlichkeit im Röntgenstrahlenbereich des elektromagnetischen Spektrums ohne Verwendung von Szintillatorkristallen oder Bildschirmen konstruiert wurden. Über einen breiten Empfindlichkeitsbereich von 200 nm bis 0.07 nm (6 eV bis 17,600 eV) wird ein Elektronenpaar erzeugt pro 3.63eV Einfall-Energie, das extrem hoher und stabiler Quanteneffizienz entspricht, prognostiziert durch Eph/3.63eV (siehe nachstehende Graphik). Für Messungen der Strahlungsenergie über 17.6 KeV beziehen Sie sich bitte auf das Kapitel “komplett verarmte Hochgeschwindigkeits-Detektoren und Detektoren mit hoher Strahlungsenergie“. Eine Sperrvorspannung kann angewendet werden, um die Kapazität und die Anstiegszeit zu reduzieren. Im Betrieb ohne Sperrvorspannung können diese Detektoren für Anwendungen verwendet werden, die Rauscharmut und eine niedrige Drift erfordern. Diese Detektoren sind auch eine ausgezeichnete Wahl für die Detektion von Lichtwellenlängen von 350 bis 1100 nm. Die Detektoren können an einen ladungsempfindlichen Vorverstärker oder an einen rauscharmen Operationsverstärker angekoppelt werden.
Merkmale
- Direkte Detektion
- Keine Vorspannung notwendig
- Hohe Quanteneffizienz
- Rauscharm
- Hochvakuumfähig
- Kryogenfähig
- 0.070 nm bis 1100 nm Wellenlängenbereich
Anwendungen
- Elektronendetektion
- Medizinische Messgeräte
- Dosimetrie
- Strahlungsüberwachung
- Röntgenstrahlenspektroskopie
- Detektion von geladenen Teilchen