UV angehobene Serie
Sperrschicht- und Planar-UV-Silizium-Photodioden

 

uv_enahncedOEC bietet zwei verschiedene UV-angehobenen Silizium Photodioden an:  Sperrkanalserien und Planarserien. Beide Baureihen sind besonders für rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konstruiert. UV-angehobene Photodioden mit Sperrschicht haben einen internen Quantenwirkungsgrad von 100% und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit niedriger Intensität. Sie haben einen hohen Shunt-Widerstand, sind rauscharm und haben eine hohe Durchbruchspannung. Die Empfindlichkeitsgleichförmigkeit überall auf der Oberfläche und der Quantenwirkungsgrad verbessert sich mit 5 bis 10 Volt angewendeter Vorspannung. Im photovoltaischen Betrieb (ohne Vorspannung) ist die Kapazität höher als in planaren Bauteilen, aber sie fällt mit Vorspannung rapide ab. Photostrom-Linearitätsabweichungen setzen für Sperrschicht-Bauteile bei niedrigerem Photostrom ein, verglichen mit den planaren Bauteilen. Unter 700 nm variiert ihre Empfindlichkeit ein wenig mit der Temperatur. UV-angehobene Planar-Photodioden (UV-D Serien) zeigen bedeutende Vorteile gegenüber den Bauteilen mit Sperrschicht, wie z.B. niedrigere Kapazität und höhere Ansprechgeschwindigkeit. Diese Bauteile weisen eine Linearität des Photostroms, auch noch bei höherem Lichteinfall verglichen mit den Bauteilen mit Sperrschicht, auf. Sie haben relativ niedrigere Empfindlichkeit und Quantenwirkungsgrade, verglichen mit den Bauteilen mit Sperrschicht. Es sind zwei Arten von planar diffundierten UV-angehobenen Photodioden erhältlich, UVD und UVE. Beide Serien haben fast ähnliche elektro-optische Charakteristiken, außer bei den UVE-Serien, bei denen die NIR-Empfindlichkeit unterdrückt wird. Das ist besonders dann wünschenswert, wenn das Abblocken des NIR-Bereiches des Spektrums notwendig ist. UVD-Bauteile haben den Scheitelpunkt bei 970 nm und UVE-Bauteile bei 720 nm (siehe Graphik). Beide Serien können unter Vorspannung gesetzt werden für niedrigere Kapazität, für schnellere Ansprechzeiten und einen breiteren dynamischen Bereich. Oder sie können im photovoltaischen (ohne Vorspannung) Betrieb betrieben werden für Anwendungen, die eine niedrige Drift bei schwankenden Temperaturen erfordern. Die UVE-Bauteile haben einen höheren Shunt-Widerstand als ihre Gegenstücke der UVD-Bauteile, aber sie haben eine höhere Kapazität.

Merkmale

  • Sperrschicht-Serie: 100% Internal QE
  • Ultrahohe R-Shunt
  • Planar Serien
  • IR unterdrückt
  • Hochgeschwindigkeits-Reaktion
  • Hohe Stabilität
  • Ausgezeichnete UV-Empfindlichkeit

Anwendungen

  • Umweltverschmutzungsüberwachung
  • Medizinische Ausrüstung
  • UV Dosismesser
  • Spektroskopie
  • Wasseraufbereitung
  • Fluoreszenz
UV Enhanced