Unsere Extended Indium-Gallium-Arsenide(InGaAs)-Photodioden erfüllen die anspruchsvollsten Anforderungen in MIL- und Industrie- Anwendungen. Extended InGaAs-Photodioden sind im Bereich 800 nm bis 2700 nm empfindlich.
Für den erweiterten Wellenlängenbereich jenseits von 1,7 / 1,8 µm bieten Extended InGaAs-Photodioden eine gute Alternative zu InAs- und InSb-Photodioden oder PbS als Photoleiter.
Technologiebedingt liegen die Shunt-Widerstände zwar niedriger als bei Ge- und / oder InGaAs-Photodioden, jedoch deutlich höher als bei InAs-Photodioden, die nur wenige Ohm aufweisen.
Gegenüber InSb besteht der Vorzug, dass keine Flüssigstickstoffkühlung benötigt wird. Gegenüber PbS photoleitenden Detektoren haben Extended InGaAs den Vorzug der geringen Alterung und der CW-Signal-Verarbeitung, d.h. Wegfall des mechanischen Choppers.
Der bevorzugte Betrieb von Extended InGaAs-Photodioden ist thermisch stabilisiert mit TE1 und / oder TE2 als attraktivem technisch-kaufmännischem Kompromiss.
Die Vorzüge von Extended InGaAs-Photodioden liegen in ihrer Rauscharmut und den erreichbaren Bandbreiten. Wir bieten Extended InGaAs-Photodioden an auf Keramik-Trägern, in TO-Gehäusen mit und ohne TE-Kühler.
Eigenschaften
- 1000 nm – 2000…2500nm
- Betrieb ohne Chopper
- Hohe Bandbreiten
- Hohe Zuverlässigkeit
Anwendungen
- Prozessmesstechnik
- Spektroskopie
- Optische Leistungsmessung
- Temperaturmesstechnik
- Medizinische Analysen
- Mess- & Regeltechnik