Unsere Indium-Gallium-Arsenide(InGaAs)-Photodioden erfüllen die anspruchsvollsten Anforderungen in MIL- und Industrie- Anwendungen. InGaAs-Photodioden sind im Bereich 800nm bis 1700nm empfindlich. InGaAs-Photodioden bieten eine Alternative zu Ge-Photodioden (800nm – 1800nm). Die Vorzüge von InGaAs-Photodioden liegen in ihrer Rauscharmut und den erreichbaren Bandbreiten. Wir bieten InGaAs-Photodioden an auf Keramik-Trägern, in TO-Gehäusen mit und ohne TE-Kühler oder im LN2-Dewar.
Hauptmerkmale
- Hohe Empfindlichkeit
- Hohe Shuntwiderstände
- Geringes Rauschen
- Geringe Kapazitäten
- Hohe Zuverlässigkeit
Typische Anwendungen
- IR Sensorik
- Spektroskopie
- Optische Kommunikation
- Kurzstrecken DataCom- / TeleCom-Empfänger
- Mess- & Regeltechnik
- Prozessmesstechnik
- Temperaturmesstechnik