Unsere Indium-Gallium-Arsenide (InGaAs)-Quadrantenphotodioden erfüllen höchste Anforderungen in Industrie- und Präzisionsanwendungen.
Sie sind speziell für den Spektralbereich von 800 nm bis 1700 nm optimiert und eignen sich ideal für Anwendungen im nahen Infrarot.
Dank ihrer hervorragenden Materialeigenschaften bieten InGaAs-Photodioden eine rauscharme und schnelle Alternative zu Germanium-Detektoren.
Die hier vorgestellte Quadrantenphotodiode verfügt über eine aktive Fläche von 1 mm Durchmesser und zeichnet sich durch einen besonders geringen Dunkelstrom sowie eine hohe Linearität aus.
Die integrierte P-auf-N-Struktur mit fein strukturierten 20 µm Spalten ermöglicht eine präzise Strahlpositionsbestimmung bei minimalem Übersprechen.
Das Bauelement ist in einem robusten TO-5-Gehäuse mit hermetisch dichtem, ultraflachem Fenster aus geschmolzenem Silizium untergebracht und gewährleistet somit höchste Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen.
Hauptmerkmale
- 1 mm aktive Fläche
- Hohe Linearität
- Geringer Dunkelstrom
- Geringes Übersprechen
- Hohe Zuverlässigkeit
- Planare Struktur auf MN+ InP Substrat
- Vier obere Anodenkontakte für präzise Auswertung
Typische Anwendungen
- Laserstrahl-Positionssensoren
- Optische Pinzetten
- Laserführung und Strahlregelung
- Temperaturmesstechnik
- Prozessüberwachung
- Präzisions-Mess- und Regeltechnik