Mit Silizium als Halbleiterbasis für Photodioden können Wellenlängen zwischen 190 und 1100 nm detektiert werden. Durch den inneren Photoeffekt werden Elektronen als Ladungsträger freigesetzt, wobei die wegen der pn-Schicht ungleichmäßige Ladungsverteilung zu einer Potentialdifferenz zwischen den Anschlussklemmen (Anode bzw. Kathode) führt. Der resultierende Photostrom ist über einen weiten Bereich der Empfängerfläche und der Beleuchtungsstärke proportional.
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Anwendung finden die Photodioden in:
- Spektroskopie
- Photographie
- Analysemesstechnik
- Optische Positionierung
- Oberflächenanalyse
- Kommunikationstechnik
- Medizintechnik
Produktübersicht:
| PV mode PC mode UV VIS NIR |
X-Ray PIN PN Fiber optics AMP |
Sandwiches Duals & Quadrants Arrays PSDs Solderable chips |
High speed Low noice Standards Custom design APDs |