Large Area Photodiode | InGaAs |
Wellenlängen-Bereich | 800nm – 1700nm |
Gehäuse | TO46 / Ceramic Submounts / PT |
Eigenschaften
- Hochempfindlich
- Hoher Shunt-Widerstand
- Niedrige Kapazität
- Hohe Geschwindigkeit
- Ebenes Design für gute Zuverlässigkeit
Anwendungen
- Infrarotsensoren
- Telekommunikation
- Optische Kommunikation
- Kurzstrecken-Telecom / Datacom Empfänger