si-componentenMit Silizium als Halbleiterbasis für Photodioden können Wellenlängen zwischen 190 und 1100 nm detektiert werden. Durch den inneren Photoeffekt werden Elektronen als Ladungsträger freigesetzt, wobei die wegen der pn-Schicht ungleichmäßige Ladungsverteilung zu einer Potentialdifferenz zwischen den Anschlussklemmen (Anode bzw. Kathode) führt. Der resultierende Photostrom ist über einen weiten Bereich der Empfängerfläche und der Beleuchtungsstärke proportional.

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Anwendung finden die Photodioden in:

  • Spektroskopie
  • Photographie
  • Analysemesstechnik
  • Optische Positionierung
  • Oberflächenanalyse
  • Kommunikationstechnik
  • Medizintechnik

Produktübersicht:

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