Unsere Indium-Gallium-Arsenide (InGaAs)-Photodioden erfüllen die anspruchsvollsten Anforderungen in MIL- und Industrie- Anwendungen. InGaAs-Photodioden sind im Bereich 800 nm bis 2600 nm empfindlich. InGaAs-Photodioden bieten eine Alternative zu Ge-Photodioden (800 nm – 1800 nm). Die Vorzüge von InGaAs-Photodioden liegen in ihrer Rauscharmut und den erreichbaren Bandbreiten. Wir bieten InGaAs-Photodioden an auf Keramik-Trägern, in TO-Gehäusen mit und ohne TE-Kühler, sowie LCC-Gehäuse.
Hauptmerkmale
- Hohe Empfindlichkeit
- Hohe Shuntwiderstände
- Geringes Rauschen
- Geringe Kapazitäten
- Hohe Zuverlässigkeit
Typische Anwendungen
- IR Sensorik
- Spektroskopie
- Optische Kommunikation
- Kurzstrecken DataCom- / TeleCom-Empfänger
- Mess- & Regeltechnik
- Prozessmesstechnik
- Temperaturmesstechnik