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Our indium-gallium-arsenide (InGaAs) photodiodes meet the most demanding requirements in military and industrial applications. InGaAs photodiodes are sensitive in the range of 800 nm to 1700 nm. They offer an alternative to Ge photodiodes (800 nm – 1800 nm). The advantages of InGaAs photodiodes lie in their low noise and achievable bandwidths. We offer InGaAs photodiodes mounted on ceramic substrates, in TO packages with or without TE coolers, or in LN2 dewars.